永利集团

产品与计划

提供包括封装设计、封装、测试、可靠性验证等成套封测计划

单N

MOSFET
第三代半导体
智能功率模块
IGBT
应用计划
HYG110N10LS2C1

HYG110N10LS2C1

此器件为100V、11.3mΩ、PDFN8L(3.3×3.3)封装产品,接纳SGT流片工艺,可应用在锂电保板,效劳器电源,DC-DC转换等领域

特性

切合RoHS标准  

100% DVDS测试

100% UIL测试

领先的封装工艺



优势

优异的导热及散热性能力 

高可靠性

高功率密度

稳定的工艺能力    

易装置



应用

锂电保板,效劳器电源,DC-DC转换  

HYG110N10LS2C1

模型

?
网站地图