技术特点
● 开发SiC、GaN晶圆划片技术；
● 软焊料以及高导热烧结纳米银浆的运用；
● DBC多芯片堆叠封装技术；
● 高性能铜片、铝带焊接以及混淆焊接的技术；
● SiC超薄芯片的封装技术；
● 产品电压能做到3300V,抵达AECQ101的考核标准；
● 使用高可靠的绿色环保型塑封料。
应用领域
第三代半导体应用于手机充电器、5G基站、电动汽车、军事领域等。
| 封装名称 | 封装外形 | 封装名称 | 封装外形 |
|---|---|---|---|
| TO-220 |  |
TO-3P |  |
| TO-263 |  |
TO-247 |  |
| TO-220F |  |
TO-264 |  |
| 封装名称 | 封装外形 |
|---|---|
| TO-220 | |
| TO-3P | |
| TO-263 | |
| TO-247 | |
| TO-220F | |
| TO-264 | |
语言
