技术介绍
IGBT(绝悦魅栅双极型晶体管) ，是由BJT(双极结型晶体三极管)和MOS（绝悦魅栅场效应管）组成的复合全控型-电压驱动式功率半导体器件 ，其具有自关断的特征。
技术特点
● 无铅软焊料高可靠性粘片技术；
● 超薄芯片的封装技术；
● 镀镍框架粗铝线高可靠性键合技术；
● 高性能铜片、铝带键合以及混淆键合技术；
● 使用高可靠的绿色环保型塑封料解决防分层、防溢料技术 ，
● 使用DBC进行高电压、大电流多芯片封装技术；
● 高可靠性功率器件实验及失效剖析技术。
应用领域
IGBT广泛应用于工业、4C（通信、盘算机、消费电子、汽车电子）、航天航空、国防军工等古板工业领域。
| 封装名称 | 封装外形 | 封装名称 | 封装外形 |
|---|---|---|---|
| TO-220 |  |
TO-3P |  |
| TO-263 |  |
TO-247 |  |
| TO-220F |  |
TO-264 |  |
| 封装名称 | 封装外形 |
|---|---|
| TO-220 | |
| TO-3P | |
| TO-263 | |
| TO-247 | |
| TO-220F | |
| TO-264 | |
语言
