技术介绍

BG：是背面减薄(Backside Gridding)
，接纳In-Feed削磨的方法
，将晶圆厚度减薄到目的厚度。提高芯片热扩散效率、电性能、机械性能
，减小封装体积
，及划片加工量。

BM：是背面金属化(Backside Metallization)
， 使用电子束爆发高温（可达1000℃）蒸发金属
，使金属原子在真空中直线运动
，沉积在晶圆上
，实现晶圆背面金属化。

CP：是晶圆测试(Chip Probing)
，接纳测试机、探针台以及探针卡来对晶圆进行测试
，确保每颗芯片能满足器件的特征或设计规格书（Specification）
，制止因芯片电性不良造成封装损失。